삼성전저-SK하이닉스　삼성전자와 SK하이닉스는 데이터 전송속도를 2배로 높이고 동작전압은 낮춘 차세대 모바일 메모리 ‘8Gb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4)’를 개발했다고 30일 밝혔다.　20나노급 기술을 적용한 이 제품은 현재 시장 주력인 LPDDR3의 1600Mbps보다 2배 빠른 3200Mbps의 데이터 전송속도를 구현한다. 또 동작전압도 LPDDR3의 1.2V에서 1.1V로 낮췄다. 소비전력은 40% 줄일 수 있다.　LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 내년 말부터 플래그십 모바일 기기에 사용되기 시작해 오는 2016년부터는 주력제품이 될 것으로 예상된다.　모바일 D램 시장이 LPDDR3에서 LPDDR4로 세대교체를 할 전망이다.　SK하이닉스는 제품 샘플을 주요 고객사와 시스템온칩(SoC) 업체에 제공하고 내년 하반기부터 양산할 계획이다.　삼성전자는 이번에 개발한 칩 4개를 쌓아 4GB(기가바이트) D램을 구성할 수 있다고 설명했다.　삼성전자는 이번 메모리 개발을 계기로 내년에는 풀HD보다 4배 선명한 초고화질 UHD를 지원하는 대화면 스마트폰, 태블릿, 울트라슬림 노트북과 고성능 네트워크 등 프리미엄 시장을 본격 공략할 계획이다.